损耗可降低近50%，中科半导体宣布发布垂直氮化镓功率半导体

IT之家11月2日报道，Onsemi宣布于当地时间10月30日推出垂直氮化镓（VGAN）功率半导体并提供样品。它采用专有的GaN-on-Gan同质衬底技术，电流垂直流过半导体化合物，从而实现更高的工作电压和更快的开关频率，并使电气设备设计更加紧凑。 In Semiconductor表示，Vgan功率半导体可减少约50%的能量和热量损失，有助于AI数据中心、电动汽车、可再生能源、航空航天等领域的未来发展。 In Semiconductor的VGAN VERTIC技术采用单芯片设计，可处理1200V及以上的高电压。与目前可用的商业应用相比，垂直氮化镓器件的尺寸约为 GaN 的三分之一。工作频率的提高意味着电容、电感等无源元件的尺寸可以减小d 几乎减半。 IT之家获悉，该半导体向首批客户提供了 700V 和 1200V 器件样品。 特别声明：以上内容（如有则包括照片或视频）由自媒体平台“网易号”用户上传发布。本平台仅提供信息存储服务。 注：以上内容（包括图片和视频，如有）由网易HAO用户上传发布，网易HAO为社交媒体平台，仅提供信息存储服务。